Base comum

Em eletrônica, base comum se refere a um tipo de configuração do transistor bipolar na qual sua base é conectada ao terra ou ao ponto comum do circuito.

Este arranjo é utilizado menos que as outras configurações em circuitos de baixa frequência, porém é comumente utilizado para amplificadores que requerem uma impedância de entrada baixa. Como por exemplo temos o pré-amplificador de microfones com bobina móvel.

Ele é comumente utilizado para amplificadores VHF e UHF aonde a baixa capacitância da saída à entrada é de importância crítica. Esta baixa capacitância se deve, em parte, ao efeito de exame da base que está conectada ao terra quando as frequências do sinal são consideradas.

(As linhas paralelas indicam componentes em paralelo.)

Ganho de tensão:

Com C_E:

${\displaystyle g_{m}(R_{\mathrm {C} }\|R_{\mathrm {load} })\,}$

Resistência de entrada

${\displaystyle R_{\mathrm {E} }\|{r_{\pi }+R_{1}\|R_{2} \over 1+\beta _{0}}.}$

Ganho de corrente

${\displaystyle A_{\mathrm {vm} }{r_{\mathrm {in} } \over R_{\mathrm {load} }}}$

Resistência de saída

${\displaystyle R_{\mathrm {C} }\,}$

As variáveis que não se encontram no esquema elétricos são:

• g_m é a transcondutância em siemens. dada por ${\displaystyle g_{m}=I_{\mathrm {C} }/V_{\mathrm {T} }}$, onde:
  • ${\displaystyle I_{\mathrm {C} }}$ é a corrente de entrada no coletor
  • ${\displaystyle V_{\mathrm {T} }=kT/q}$ é a tensão térmica, calculada a partir da constante de Boltzmann, da carga de um elétron, e da temperatura do transistor em kelvins. Em uma temperatura de um ambiente fechado este valor é cerca de 25 mV
• ${\displaystyle \beta _{0}=I_{\mathrm {C} }/I_{\mathrm {B} }}$ é o ganho de corrente em baixas frequências (comumente chamado de h_FE). Este é um parâmetros específico para cada transistor, e pode ser encontrado em seu datasheet.
• ${\displaystyle r_{\pi }=\beta _{0}/g_{m}=V_{\mathrm {T} }/I_{\mathrm {B} }}$

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• Dreno comum
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